IR2117PBF (INFINEON)

F9101756
нет данных
 
Микросхема питания, высокой стороны и низкой стороны, питание 10В-20В, 500мА, 105нс, DIP-8

Документация
Technical Data Sheet EN
Application Note EN
Product Change Notice EN
CAD CadSoft_EAGLE EN
  Simulation Model EN

БрендINFINEON НаименованиеIR2117PBF Цена заШтука Страна производстваMalaysia СкладFarnell

Микросхема питания, высокой стороны и низкой стороны, питание 10В-20В, 500мА, 105нс, DIP-8

The IR2117PBF is a single-channel Power MOSFET and IGBT Driver features proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enables ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS outputs. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high or low-side configuration which operates up to 600V.
  • Floating channel designed for bootstrap operation
  • Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
  • Under-voltage lockout
  • CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
  • Output in phase with input
  • High voltage
  • High speed

Области применения

Управление Питанием

Задержка Выхода:
105нс
Задержка по Входу:
125нс
Количество Выводов:
8вывод(-ов)
Конфигурация Привода:
Высокая Сторона или Низкая Сторона
Линейка Продукции:
IR2117(
Максимальная Рабочая Температура:
125°C
Максимальное Напряжение Питания:
20В
Минимальная Рабочая Температура:
-40°C
Минимальное Напряжение Питания:
10В
Пиковый Выходной Ток:
500мА
Соответствует Фталатам RoHS:
Да
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Привода:
DIP
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Популярные товары