IR2112PBF (INFINEON)
Двойной драйвер, высокой стороны и низкой стороны, питание 10В-20В, 420мА, задержка 105нс, DIP-14
The IR2112PBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Driver with independent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL outputs, down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications. The floating channel can be used to drive a N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.
- Floating channel designed for bootstrap operation
- Tolerant to negative transient voltage DV/DT Immune
- Under-voltage lockout for both channels
- CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
- Cycle-by-cycle edge-triggered shutdown logic
- Matched propagation delay for both channels
- Outputs in phase with inputs
Области применения
Промышленное, Потребительская Электроника, Альтернативаня Энергия, Управление Питанием
Задержка Выхода:
105нс
Задержка по Входу:
125нс
Количество Выводов:
14вывод(-ов)
Конфигурация Привода:
Высокая Сторона и Низкая Сторона
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
125°C
Максимальное Напряжение Питания:
20В
Минимальная Рабочая Температура:
-40°C
Минимальное Напряжение Питания:
10В
Пиковый Выходной Ток:
420мА
Соответствует Фталатам RoHS:
Да
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Привода:
DIP
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
