MRFE6VP5600HR5 (NXP)
РЧ полевой транзистор, 130 В DC, 1.667 кВт, 1.8 МГц, 600 МГц, NI-1230
The MRFE6VP5600HR5 is a 130V N-channel Enhancement Mode Lateral MOSFET designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace and radio/land mobile applications.
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Device can be used single ended or in a push pull configuration
- Qualified up to a maximum of 50VDD operation
- Characterized from 30V to 50V for extended power range
- Suitable for linear application with appropriate biasing
- Integrated ESD protection with greater negative gate source voltage
Области применения
Промышленное, Оборона, Военная и Авиационно-космическое, Связь и Сеть
Количество Выводов:
4вывод(-ов)
Корпус РЧ Транзистора:
NI-1230
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
225°C
Максимальная Рабочая Частота:
600МГц
Минимальная Рабочая Частота:
1.8МГц
Напряжение Истока-стока Vds:
130В DC
Непрерывный Ток Стока:
-
Рассеиваемая Мощность:
1.667кВт
Тип упаковки:
Разрезная лента
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да