IXZ308N120 (IXYS RF)
РЧ полевой транзистор, 1.2 кВ, 8 А, 880 Вт, DE-375
The IXZ308N120 is a 1200V N-channel Enhancement Mode RF Power MOSFET with low RDS (on) ideal for laser driver, induction heating, switch mode power supplies and switching industrial applications.
- High isolation voltage
- Excellent thermal transfer
- Increased temperature and power cycling capability
- IXYS advanced low Qg process
- Low gate charge and capacitances offer easier to drive and faster switching
- Very low insertion inductance
- No beryllium oxide (BeO) or other hazardous materials
- Easy to mount, no insulators needed
- High power density
Области применения
ОВКВ, Управление Питанием, Промышленное
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
6вывод(-ов)
Корпус РЧ Транзистора:
DE-375
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
175°C
Максимальная Рабочая Частота:
-
Минимальная Рабочая Частота:
-
Напряжение Истока-стока Vds:
1.2кВ
Непрерывный Ток Стока:
8А
Рассеиваемая Мощность:
880Вт
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (12-Jan-2017)
RoHS статус:
Да
