IXFN55N50F (IXYS RF)

F1347748
нет данных
 
РЧ полевой транзистор, 500 В, 55 А, 600 Вт, 500 кГц, SOT-227B

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендIXYS RF НаименованиеIXFN55N50F Цена заШтука Страна производстваUnited States СкладFarnell

РЧ полевой транзистор, 500 В, 55 А, 600 Вт, 500 кГц, SOT-227B

The IXFN55N50F is a N-channel Power MOSFET offers low package inductance hence easy to drive and to protect. It is designed for use with DC-to-DC converters, SMPS/RMPS, DC choppers, pulse generation and laser driver applications.
  • RF capable MOSFET
  • Enhancement-mode
  • Double metal process for low gate resistance
  • Rugged polysilicon gate cell structure
  • Unclamped inductive switching rated
  • Easy to mount
  • Space savings
  • High power density

Области применения

Промышленное, Управление Питанием

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
4вывод(-ов)
Корпус РЧ Транзистора:
SOT-227B
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Максимальная Рабочая Частота:
500кГц
Минимальная Рабочая Частота:
-
Напряжение Истока-стока Vds:
500В
Непрерывный Ток Стока:
55А
Рассеиваемая Мощность:
600Вт
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (12-Jan-2017)
RoHS статус:
Да