IXFN55N50F (IXYS RF)
РЧ полевой транзистор, 500 В, 55 А, 600 Вт, 500 кГц, SOT-227B
The IXFN55N50F is a N-channel Power MOSFET offers low package inductance hence easy to drive and to protect. It is designed for use with DC-to-DC converters, SMPS/RMPS, DC choppers, pulse generation and laser driver applications.
- RF capable MOSFET
- Enhancement-mode
- Double metal process for low gate resistance
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Unclamped inductive switching rated
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Области применения
Промышленное, Управление Питанием
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
4вывод(-ов)
Корпус РЧ Транзистора:
SOT-227B
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Максимальная Рабочая Частота:
500кГц
Минимальная Рабочая Частота:
-
Напряжение Истока-стока Vds:
500В
Непрерывный Ток Стока:
55А
Рассеиваемая Мощность:
600Вт
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (12-Jan-2017)
RoHS статус:
Да