DE275-501N16A (IXYS RF)
РЧ полевой транзистор, 500 В, 16 А, 590 Вт, 100 МГц, DE-275
The DE275-501N16A is a 500V N-channel Enhancement Mode RF Power MOSFET with low RDS (on) ideal for Class C, D and E applications. This MOSFET can also be used in laser driver, induction heating, switch mode power supplies and switching industrial applications.
- High isolation voltage
- Excellent thermal transfer
- Increased temperature and power cycling capability
- IXYS advanced low Qg process
- Low gate charge and capacitances offer easier to drive and faster switching
- Very low insertion inductance
- No beryllium oxide (BeO) or other hazardous materials
- Easy to mount, no insulators needed
- High power density
Области применения
Управление Питанием, Промышленное
Количество Выводов:
6вывод(-ов)
Корпус РЧ Транзистора:
DE-275
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
175°C
Максимальная Рабочая Частота:
100МГц
Минимальная Рабочая Частота:
-
Напряжение Истока-стока Vds:
500В
Непрерывный Ток Стока:
16А
Рассеиваемая Мощность:
590Вт
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (12-Jan-2017)
RoHS статус:
Да
