MMBFU310LT1G (ON SEMICONDUCTOR)
ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 25 В, 24 мА, 60 мА, 6 В
The MMBFU310LT1G is a N-channel JFET designed for high frequency amplifiers and oscillators. The low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life. The device is encapsulated in a surface-mount package which saves board space.
- 25V Drain-source voltage
- 25V Gate-source voltage
- 10mA Gate current
Области применения
Промышленное, Управление Питанием
Количество Выводов:
3 Вывода
Линейка Продукции:
-
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off):
6В
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max):
60мА
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min):
24мА
Напряжение Пробоя Vbr:
25В
Стандарты Автомобильной Промышленности:
AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-23
Тип Транзистора:
JFET
Тип упаковки:
Разрезная лента
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да