MMBFJ202 (ON SEMICONDUCTOR)
ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -40 В, 900 мкА, 4.5 мА
The MMBFJ202 is a N-channel JFET designed primarily for low level audio and general purpose applications with high impedance signal sources.
- 40V Drain-gate voltage
- -40V Gate-source voltage
- 50mA Forward gate current
Области применения
Промышленное, Аудио, Управление Питанием
Количество Выводов:
3 Вывода
Линейка Продукции:
-
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off):
-4В
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max):
4.5мА
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min):
900мкА
Напряжение Пробоя Vbr:
-40В
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-23
Тип Транзистора:
JFET
Тип упаковки:
Разрезная лента
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
