MMBFJ175LT1G (ON SEMICONDUCTOR)

ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, 7 мА, 60 мА, 6 В

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate

Количество Выводов:

3 Вывода

Линейка Продукции:

Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off):

6В

Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max):

60мА

Максимальная Рабочая Температура:

150°C

Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min):

7мА

Напряжение Пробоя Vbr:

30В

Стандарты Автомобильной Промышленности:

Стиль Корпуса Транзистора:

SOT-23

Тип Транзистора:

JFET

SVHC (Особо Опасные Вещества):

No SVHC (27-Jun-2018)

RoHS статус:

Да