MMBFJ111 (ON SEMICONDUCTOR)
ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -35 В, 20 мА, -10 В
The MMBFJ111 is a N-channel JFET Switch designed for low level analogue switching, sample and holds circuits, chopper stabilized amplifiers.
- Interchangeable source and drain
- 35V Drain-gate voltage
- -35V Gate-source voltage
- 50mA Forward gate current
Области применения
Промышленное, Управление Питанием
Количество Выводов:
3 Вывода
Линейка Продукции:
-
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off):
-10В
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max):
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min):
20мА
Напряжение Пробоя Vbr:
-35В
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-23
Тип Транзистора:
JFET
Тип упаковки:
Разрезная лента
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да