MMBF5485 (ON SEMICONDUCTOR)

F2454016
нет данных
 
ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 4 мА, 10 мА, -4 В

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеMMBF5485 Цена заШтука (Поставляется на разрезной ленте) Страна производстваJapan СкладFarnell

ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 4 мА, 10 мА, -4 В

The MMBF5485 is a N-channel RF JFET Amplifier primarily designed electronic switching applications such as low ON-resistance analogue switching.
  • Interchangeable source and drain
  • 25V Drain-gate voltage
  • -25V Gate-source voltage
  • 10mA Forward gate current

Области применения

Промышленное, Радиочастотная Связь, Управление Питанием

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
3 Вывода
Линейка Продукции:
-
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off):
-4В
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max):
10мА
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min):
4мА
Напряжение Пробоя Vbr:
-25В
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-23
Тип Транзистора:
Радиочастотный Полевой Транзистор с Управляющим p-n Переходом
Тип упаковки:
Разрезная лента
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да