MMBF4392LT1G (ON SEMICONDUCTOR)
ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, 25 мА, 75 мА, -5 В
The MMBF4392LT1G is a N-channel JFET Switching Transistor designed for analogue switching and chopper applications.
- 30VDC Drain-source voltage
- 30VDC Drain-gate voltage
- 30VDC Gate-source voltage
- 50mA Forward gate current
Области применения
Промышленное, Управление Питанием
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
3 Вывода
Линейка Продукции:
-
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off):
-5В
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max):
75мА
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min):
25мА
Напряжение Пробоя Vbr:
30В
Стандарты Автомобильной Промышленности:
AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-23
Тип Транзистора:
JFET
Тип упаковки:
Разрезная лента
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да