J106 (ON SEMICONDUCTOR)

F1471021
нет данных
 
ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 200 мА, -6 В

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеJ106 Цена заШтука Страна производстваTaiwan СкладFarnell

ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 200 мА, -6 В

The J106 is a N-channel JFET designed for analogue or digital switching applications where very low ON-resistance is mandatory.
  • 25V Drain-gate voltage
  • -25V Gate-source voltage
  • 10mA Forward gate current

Области применения

Промышленное, Управление Питанием

Количество Выводов:
3 Вывода
Линейка Продукции:
-
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off):
-6В
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max):
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min):
200мА
Напряжение Пробоя Vbr:
-25В
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-92
Тип Транзистора:
JFET
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Популярные товары