BSR58 (ON SEMICONDUCTOR)
ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 40 В, 8 мА, 80 мА, 4 В
The BSR58 is a N-channel JFET offers low-frequency and low-noise designed for low-power chopper or switching application.
- 40V Drain-gate voltage
- -40V Gate-source voltage
- 50mA Forward gate current
Области применения
Промышленное, Управление Питанием
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
3 Вывода
Линейка Продукции:
-
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off):
4В
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max):
80мА
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min):
8мА
Напряжение Пробоя Vbr:
40В
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-23
Тип Транзистора:
JFET
Тип упаковки:
Разрезная лента
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
