BF510,215 (NXP)
ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), 20 В, 3 мА, 700 мкА, 800 мВ, SOT-23, JFET
Asymmetrical N-channel planar epitaxial junction field-effect transistors in the miniature plastic envelope intended for applications up to the v.h.f. range in hybrid thick and thin-film circuits. Special features are the low feedback capacitance and the low noise figure. These features make the product very suitable for applications such as the r.f. stages in f.m. portables (BF510), car radios (BF511) and mains radios (BF512) or the mixer stage (BF513).
- N-channel silicon field-effect transistor
- PINNING - SOT23: 1 = gate; 2 = drain; 3 = source
Количество Выводов:
3 Вывода
Линейка Продукции:
-
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off):
800мВ
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max):
700мкА
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min):
3мА
Напряжение Пробоя Vbr:
20В
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-23
Тип Транзистора:
JFET
Тип упаковки:
Разрезная лента
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
