BF256B (ON SEMICONDUCTOR)

F2453364
нет данных
 
ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -30 В, 6 мА, 13 мА, -8 В

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеBF256B Цена заШтука Страна производстваJapan СкладFarnell

ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -30 В, 6 мА, 13 мА, -8 В

BF256B является N-канальным JFET транзистором для РЧ/VHF/UHF усилителей.
  • Рассеивание мощности 350мВт

Области применения

Аудио, Обработка Сигнала

Количество Выводов:
3 Вывода
Линейка Продукции:
-
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off):
-8В
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max):
13мА
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min):
6мА
Напряжение Пробоя Vbr:
-30В
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-92
Тип Транзистора:
Радиочастотный Полевой Транзистор
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да