PSMN8R2-80YS,115 (NEXPERIA)

F1785646
нет данных
 
МОП-транзистор, N Канал, 82 А, 80 В, 0.0058 Ом, 10 В, 3 В

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендNEXPERIA НаименованиеPSMN8R2-80YS,115 Цена заШтука (Поставляется на разрезной ленте) Страна производстваPhilippines СкладFarnell

МОП-транзистор, N Канал, 82 А, 80 В, 0.0058 Ом, 10 В, 3 В

The PSMN8R2-80YS is a N-channel standard level MOSFET with advanced TrenchMOS technology provides low RDS (ON) and low gate charge. It is designed and qualified for use in a wide range of DC-to-DC convertor, lithium-ion battery protection, load switching, server power supplies and domestic equipment applications.
  • Improved mechanical and thermal characteristics
  • High efficiency gains in switching power converters
  • LFPAK provides maximum power density in a power SO8 package
  • -55 to 175°C Junction temperature range

Области применения

Управление Питанием, Связь и Сеть, Потребительская Электроника, Привод Двигателя и Управление, Промышленное

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
4вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
175°C
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Напряжение Истока-стока Vds:
80В
Непрерывный Ток Стока:
82А
Полярность Транзистора:
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
Рассеиваемая Мощность:
130Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.0058Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-669
Тип упаковки:
Разрезная лента
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (15-Jan-2018)
RoHS статус:
Y-Ex
Популярные товары