NTD2955T4G (ON SEMICONDUCTOR)

F2317614
нет данных
 
МОП-транзистор, P Канал, 12 А, -60 В, 0.155 Ом, -10 В, -2.8 В

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеNTD2955T4G Цена заШтука Страна производстваChina СкладFarnell

МОП-транзистор, P Канал, 12 А, -60 В, 0.155 Ом, -10 В, -2.8 В

The NTD2955T4G is a -60V P-channel Power MOSFET designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. It is designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls. This device is particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer an additional safety margin against unexpected voltage transients.
  • Avalanche energy specified
  • IDSS and VDS (on) specified at elevated temperature
  • ±20V Gate to source voltage
  • 2.73°C/W Thermal resistance, junction to case

Области применения

Управление Питанием, Привод Двигателя и Управление

Количество Выводов:
4вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
175°C
Напряжение Измерения Rds(on):
-10В
Напряжение Истока-стока Vds:
-60В
Непрерывный Ток Стока:
12А
Полярность Транзистора:
P Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
-2.8В
Рассеиваемая Мощность:
55Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.155Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-252
SVHC (Особо Опасные Вещества):
Lead (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Популярные товары