NDT3055 (ON SEMICONDUCTOR)
МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 60 В, 0.1 Ом, 10 В, 3 В
The NDT3055 is a 60V N-channel enhancement mode Field Effect Transistor produced using high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. This device is particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and other battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss and resistance to transients are needed. This product is general usage and suitable for many different applications.
- High power and current handling capability
Области применения
Управление Питанием, Потребительская Электроника
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
4вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Напряжение Истока-стока Vds:
60В
Непрерывный Ток Стока:
4А
Полярность Транзистора:
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
3В
Рассеиваемая Мощность:
3Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.1Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-223
Тип упаковки:
Разрезная лента
SVHC (Особо Опасные Вещества):
Lead (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Y-Ex
