MGSF1N02LT1G (ON SEMICONDUCTOR)

F2317881
нет данных
 
МОП-транзистор, N Канал, 750 мА, 20 В, 0.075 Ом, 10 В, 1.7 В

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN
  Simulation Model EN

БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеMGSF1N02LT1G Цена заШтука (Поставляется на полной катушке) Страна производстваPhilippines СкладFarnell

МОП-транзистор, N Канал, 750 мА, 20 В, 0.075 Ом, 10 В, 1.7 В

The MGSF1N02LT1G is a N-channel miniature surface-mount Power MOSFET with low RDS (ON) assure minimal power loss and conserve energy. The device is ideal for use in space sensitive power management circuitry. It is suitable for DC-to-DC converters, power management in portable and battery-powered products such as printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.
  • Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
  • Miniature surface-mount package saves board space
  • -55 to 150°C Operating temperature range

Области применения

Переносные Устройства, Потребительская Электроника, Управление Питанием, Компьютеры и Периферия, Промышленное

Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Напряжение Истока-стока Vds:
20В
Непрерывный Ток Стока:
750мА
Полярность Транзистора:
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
1.7В
Рассеиваемая Мощность:
400мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.075Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-23
Тип упаковки:
Катушка
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Популярные товары