IXFN120N20 (IXYS SEMICONDUCTOR)

F9359257
нет данных
 
МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 200 В, 0.017 Ом, 10 В, 4 В

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендIXYS SEMICONDUCTOR НаименованиеIXFN120N20 Цена заШтука Страна производстваGermany СкладFarnell

МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 200 В, 0.017 Ом, 10 В, 4 В

The IXFN120N20 is a 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™) and low RDS (on). The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.
  • Encapsulating epoxy meets UL94V-0 flammability
  • miniBLOC with aluminium nitride isolation
  • Rugged polysilicon gate cell structure
  • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
  • Low inductance
  • High power density
  • Easy to mount
  • Space-saving s

Области применения

Управление Питанием, Привод Двигателя и Управление, Освещение

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Напряжение Истока-стока Vds:
200В
Непрерывный Ток Стока:
120А
Полярность Транзистора:
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
Рассеиваемая Мощность:
600Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.017Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
ISOTOP
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (12-Jan-2017)
RoHS статус:
Да
Популярные товары