FDV303N (ON SEMICONDUCTOR)

F2336831
нет данных
 
МОП-транзистор, N Канал, 680 мА, 25 В, 0.33 Ом, 4.5 В, 800 мВ

Документация
Technical Data Sheet EN
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеFDV303N Цена заШтука (Поставляется на полной катушке) Страна производстваUnited States СкладFarnell

МОП-транзистор, N Канал, 680 мА, 25 В, 0.33 Ом, 4.5 В, 800 мВ

The FDV303N is an N-channel enhancement mode Field Effect Transistor produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is tailored to minimize on-state resistance at low gate drive conditions. This device is designed especially for application in battery circuits using either one lithium or three cadmium or NMH cells. It can be used as an inverter or for high-efficiency miniature discrete DC/DC conversion in compact portable electronic devices. This device has excellent on-state resistance even at gate drive voltages as low as 2.5 volts. it is an alternative to TN0200T and TN0201T transistors.
  • Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
  • >6kV Human body model gate-source Zener for ESD ruggedness

Области применения

Управление Питанием, Переносные Устройства, Потребительская Электроника, Связь и Сеть

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Измерения Rds(on):
4.5В
Напряжение Истока-стока Vds:
25В
Непрерывный Ток Стока:
680мА
Полярность Транзистора:
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
800мВ
Рассеиваемая Мощность:
350мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.33Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-23
Тип упаковки:
Катушка
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Популярные товары