FDT3612 (ON SEMICONDUCTOR)
МОП-транзистор, N Канал, 3.7 А, 100 В, 0.12 Ом, 10 В, 2.5 В
The FDT3612 is a N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It features faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS (ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies) and DC-to-DC power supply designs with higher overall efficiency.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
- 14nC Typical low gate charge
Области применения
Управление Питанием, Привод Двигателя и Управление
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Напряжение Истока-стока Vds:
100В
Непрерывный Ток Стока:
3.7А
Полярность Транзистора:
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
2.5В
Рассеиваемая Мощность:
3Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.12Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-223
Тип упаковки:
Разрезная лента
SVHC (Особо Опасные Вещества):
Lead (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Y-Ex
