FDN338P (ON SEMICONDUCTOR)

F2323186
нет данных
 
МОП-транзистор, P Канал, -1.6 А, -20 В, 0.088 Ом, -4.5 В, -800 мВ

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеFDN338P Цена заШтука (Поставляется на полной катушке) Страна производстваUnited States СкладFarnell

МОП-транзистор, P Канал, -1.6 А, -20 В, 0.088 Ом, -4.5 В, -800 мВ

The FDN338P is a 2.5V specified P-channel MOSFET uses Fairchild's advanced low voltage PowerTrench® process. It has been optimized for battery power management and load switch applications. The SuperSOT™ -3 provides low RDS (ON) and 30% higher power handling capability than SOT23 in the same footprint.
  • Fast switching speed
  • High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)

Области применения

Управление Питанием, Промышленное

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Измерения Rds(on):
-4.5В
Напряжение Истока-стока Vds:
-20В
Непрерывный Ток Стока:
-1.6А
Полярность Транзистора:
P Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
-800мВ
Рассеиваемая Мощность:
500мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.088Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
SuperSOT
Тип упаковки:
Катушка
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Популярные товары