FDMS3660S (ON SEMICONDUCTOR)
Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 60 А, 30 В, 0.0013 Ом, 10 В, 1.5 В
The FDMS3660S is a dual N-channel Asymmetric MOSFET suitable for use with computing, general purpose point of load and notebook VCORE applications. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous SyncFET™ (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.
- Low inductance packaging shortens rise/fall times, resulting in lower switching losses
- MOSFET integration enables optimum layout (lower circuit inductance & reduced switch node ringing)
Области применения
Промышленное, Связь и Сеть, Управление Питанием
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
8вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Напряжение Истока-стока Vds:
30В
Непрерывный Ток Стока:
60А
Полярность Транзистора:
Двойной N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
1.5В
Рассеиваемая Мощность:
2.5Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.0013Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
Power 56
SVHC (Особо Опасные Вещества):
Lead (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
