FDMC4435BZ (ON SEMICONDUCTOR)
МОП-транзистор, P Канал, -18 А, -30 В, 0.015 Ом, -10 В, -1.9 В
The FDMC4435BZ is a P-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance. It is well suited for load switching applications common in portable battery packs.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- 100% UIL tested
- >7kV Typical HBM ESD protection level
Области применения
Управление Питанием, Переносные Устройства, Компьютеры и Периферия
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
8вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Измерения Rds(on):
-10В
Напряжение Истока-стока Vds:
-30В
Непрерывный Ток Стока:
-18А
Полярность Транзистора:
P Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
-1.9В
Рассеиваемая Мощность:
31Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.015Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
MLP
Тип упаковки:
Разрезная лента
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
