FDM3622 (ON SEMICONDUCTOR)
МОП-транзистор, N Канал, 4.4 А, 100 В, 0.044 Ом, 10 В, 4 В
The FDM3622 is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.
- Low miller charge
- Low Qrr body diode
- Optimized efficiency at high frequencies
- UIS Capability (single pulse and repetitive Pulse Formerly developmental type 82744)
Области применения
Промышленное, Управление Питанием
Количество Выводов:
8вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Напряжение Истока-стока Vds:
100В
Непрерывный Ток Стока:
4.4А
Полярность Транзистора:
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
4В
Рассеиваемая Мощность:
2.1Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.044Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
Power 33
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
