FDB14N30TM (ON SEMICONDUCTOR)
МОП-транзистор, N Канал, 14 А, 300 В, 0.24 Ом, 10 В, 5 В
The FDB14N30TM is an UniFET™ N-channel high voltage MOSFET produced from Fairchild Semiconductor's family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power and ATX.
- Improved dV/dt capability
- 100% Avalanche tested
- 18nC Typical low gate charge
- 17pF Typical low Crss
Области применения
Управление Питанием, Освещение, Потребительская Электроника
Количество Выводов:
2вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Напряжение Истока-стока Vds:
300В
Непрерывный Ток Стока:
14А
Полярность Транзистора:
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
5В
Рассеиваемая Мощность:
140Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.24Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-263
SVHC (Особо Опасные Вещества):
Lead (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
