STGW30NC120HD (STMICROELECTRONICS)

F1542228
нет данных
 
БТИЗ транзистор, 60 А, 2.75 В, 220 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендSTMICROELECTRONICS НаименованиеSTGW30NC120HD Цена заШтука Страна производстваChina СкладFarnell

БТИЗ транзистор, 60 А, 2.75 В, 220 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)

The STGW30NC120HD is a N-channel very fast PowerMESH™ IGBT for use with induction heating and soft switching application. Using the latest high voltage technology based on its patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, with outstanding performances. The suffix H identifies a family optimized for high frequency application in order to achieve very high switching performances (reduced tfall) maintaining a low voltage drop.
  • Low on-losses
  • Low on-voltage drop (Vcesat)
  • High current capability
  • High input impedance (voltage driven)
  • Low gate charge

Области применения

ОВКВ, Управление Питанием

DC Ток Коллектора:
60А
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):
2.75В
Рассеиваемая Мощность:
220Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-247
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (17-Dec-2015)
RoHS статус:
Да