STGW20NC60VD (STMICROELECTRONICS)

F9512535
нет данных
 
БТИЗ транзистор, 60 А, 2.5 В, 200 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендSTMICROELECTRONICS НаименованиеSTGW20NC60VD Цена заШтука Страна производстваChina СкладFarnell

БТИЗ транзистор, 60 А, 2.5 В, 200 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

The STGW20NC60VD is a 600V very fast IGBT utilizes the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. It is suitable for use with high frequency inverters, UPS, motor drive, SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies.
  • High current capability
  • High frequency operation up to 50KHz
  • Very soft ultra fast recovery anti-parallel diode
  • ±20V Gate to emitter voltage
  • 0.63°C/W IGBT thermal resistance, junction to case
  • 1.5°C/W IGBT thermal resistance, junction to case
  • 50°C/W Thermal resistance, junction to ambient

Области применения

Управление Питанием, Привод Двигателя и Управление, Промышленное

DC Ток Коллектора:
60А
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):
2.5В
Рассеиваемая Мощность:
200Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-247
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (17-Dec-2015)
RoHS статус:
Да
Популярные товары