STGB10NC60KDT4 (STMICROELECTRONICS)
БТИЗ транзистор, 10 А, 2.5 В, 60 Вт, 600 В, TO-263, 3 вывод(-ов)
The STGB10NC60KDT4 is a short-circuit rugged IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low ON-state behaviour. It is suitable for SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies.
- Low on-voltage drop (VCE(sat))
- Low CRES/CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
- Very soft ultrafast recovery anti-parallel diode
- 10µs Short-circuit withstand time
Области применения
Привод Двигателя и Управление, Управление Питанием
DC Ток Коллектора:
10А
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):
2.5В
Рассеиваемая Мощность:
60Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-263
Тип упаковки:
Разрезная лента
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (17-Dec-2015)
RoHS статус:
Да
