IXGH30N60C3C1 (IXYS SEMICONDUCTOR)
Карбидокремниевый одиночный БТИЗ транзистор, 60А, 3В, 220Вт, 600В, TO-247, 3 вывода
The IXGH30N60C3C1 is a GenX3™ high-speed PT IGBT with SiC anti-parallel diode. It is optimized for low switching losses. It is suitable for battery chargers, welding machines and 40 to 100kHz switching applications.
- Square RBSOA
- Anti-parallel Schottky diode
- High power density
- Low gate drive requirement
Области применения
Управление Питанием, Привод Двигателя и Управление, Техническое Обслуживание и Ремонт, Освещение
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
60А
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):
3В
Рассеиваемая Мощность:
220Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-247
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (12-Jan-2017)
RoHS статус:
Да
