IRG4PF50WPBF (INFINEON)

F8650659
нет данных
 
БТИЗ транзистор, 51 А, 2.7 В, 200 Вт, 900 В, TO-247AC, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
  Simulation Model EN

БрендINFINEON НаименованиеIRG4PF50WPBF Цена заШтука Страна производстваMexico СкладFarnell

БТИЗ транзистор, 51 А, 2.7 В, 200 Вт, 900 В, TO-247AC, 3 вывод(-ов)

The IRG4PF50WPBF is a 900V Warp 20 to 100kHz IGBT designed for switch mode power supply, welding and PFC applications. Latest generation IGBT design and construction offers tighter parameters distribution and exceptional reliability. Low conduction losses and minimal minority carrier recombination makes as an excellent option for resonant mode switching (up to >100kHz).
  • 50% Reduction of Eoff parameter
  • Lower switching losses allow more effective operation in replacing large die MOSFET up to 100kHz

Области применения

Управление Питанием, Привод Двигателя и Управление

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
51А
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
900В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):
2.7В
Рассеиваемая Мощность:
200Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-247AC
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да