IRG4PC50FPBF (INFINEON)

F9105115
нет данных
 
БТИЗ транзистор, 70 А, 1.79 В, 200 Вт, 600 В, TO-247AC, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендINFINEON НаименованиеIRG4PC50FPBF Цена заШтука Страна производстваMexico СкладFarnell

БТИЗ транзистор, 70 А, 1.79 В, 200 Вт, 600 В, TO-247AC, 3 вывод(-ов)

The IRG4PC50FPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor optimized for medium operating frequencies 1 to 5kHz in hard switching, >20kHz in resonant mode. The generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than generation 3.
  • Optimized for specific application conditions
  • Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard generation 3 IR IGBTs

Области применения

ОВКВ, Потребительская Электроника, Управление Питанием

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
70А
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
IRG4 Series
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):
1.79В
Рассеиваемая Мощность:
200Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-247AC
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Популярные товары