IRG4PC50FDPBF (INFINEON)

F9105123
нет данных
 
БТИЗ транзистор, 70 А, 1.79 В, 200 Вт, 600 В, TO-247AC, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
  Simulation Model EN

БрендINFINEON НаименованиеIRG4PC50FDPBF Цена заШтука Страна производстваMexico СкладFarnell

БТИЗ транзистор, 70 А, 1.79 В, 200 Вт, 600 В, TO-247AC, 3 вывод(-ов)

The IRG4PC50FDPBF is an insulated gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode, optimized for medium operating frequencies. Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3. IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations.
  • ±20V Gate-emitter voltage

Области применения

Привод Двигателя и Управление

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
70А
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
IRG4 Series
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):
1.79В
Рассеиваемая Мощность:
200Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-247AC
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Популярные товары