IRG4BC30KDPBF (INFINEON)

F8650390
нет данных
 
БТИЗ транзистор, 28 А, 2.21 В, 100 Вт, 600 В, TO-220AB, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN
  Simulation Model EN

БрендINFINEON НаименованиеIRG4BC30KDPBF Цена заШтука Страна производстваMexico СкладFarnell

БТИЗ транзистор, 28 А, 2.21 В, 100 Вт, 600 В, TO-220AB, 3 вывод(-ов)

The IRG4BC30KDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. The HEXFRED™ diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses.
  • Combines low conduction losses with high switching speed
  • Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations
  • IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft recovery anti-parallel diodes
  • Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible

Области применения

Привод Двигателя и Управление, Альтернативаня Энергия, Управление Питанием, Потребительская Электроника, Техническое Обслуживание и Ремонт

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
28А
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
IRG4 Series
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):
2.21В
Рассеиваемая Мощность:
100Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-220AB
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Популярные товары