IRG4BC20FDPBF (INFINEON)
БТИЗ транзистор, 16 А, 1.66 В, 60 Вт, 600 В, TO-220AB, 3 вывод(-ов)
The IRG4BC20FDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It is optimized for medium operating frequencies (1 to 5kHz in hard switching, >20kHz in resonant mode). It feature generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than generation 3. The IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations. The HEXFRED® diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing.
- Optimized for specific application conditions
- Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard generation 3 IR IGBTs
Области применения
ОВКВ, Освещение, Потребительская Электроника, Управление Питанием
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
16А
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):
1.66В
Рассеиваемая Мощность:
60Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-220AB
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
