IGW30N60TFKSA1 (INFINEON)

F1832354
нет данных
 
БТИЗ транзистор, 30 А, 2.05 В, 187 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендINFINEON НаименованиеIGW30N60TFKSA1 Цена заШтука Страна производстваPhilippines СкладFarnell

БТИЗ транзистор, 30 А, 2.05 В, 187 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

The IGW30N60T is a Low Loss IGBT in TRENCHSTOP™ and field-stop technology. The TrenchStop® IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of TrenchStop®-cell and field-stop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-ON losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.
  • Lowest Vce (sat) drop for lower conduction losses
  • Low switching losses
  • Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vce (sat)
  • Very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode
  • High ruggedness, temperature stable behaviour
  • Low EMI emissions
  • Low gate charge
  • Very tight parameter distribution
  • Highest efficiency - Low conduction and switching losses
  • High device reliability
  • 5µs Short-circuit withstand time
  • Green product
  • Halogen-free

Области применения

Управление Питанием, Альтернативаня Энергия, Потребительская Электроника, ОВКВ, Промышленное

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
30А
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
175°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):
2.05В
Рассеиваемая Мощность:
187Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-247
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Популярные товары