HGTP7N60A4 (ON SEMICONDUCTOR)

F1095121
нет данных
 
БТИЗ транзистор, 34 А, 2.7 В, 125 Вт, 600 В, TO-220AB, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеHGTP7N60A4 Цена заШтука Страна производстваSouth Korea СкладFarnell

БТИЗ транзистор, 34 А, 2.7 В, 125 Вт, 600 В, TO-220AB, 3 вывод(-ов)

The HGTP7N60A4 is a SMPS IGBT combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor. It is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for fast switching applications, such as UPS and welder.
  • 1.9V @ IC = 7A Low saturation voltage
  • 75ns Fall time @ TJ = 125°C
  • 125W Total power dissipation @ TC = 25°C

Области применения

Управление Питанием, Техническое Обслуживание и Ремонт

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
34А
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):
2.7В
Рассеиваемая Мощность:
125Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-220AB
SVHC (Особо Опасные Вещества):
Lead (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Популярные товары