SKM150GB12V (SEMIKRON)

F2423689
нет данных
 
БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 231 А, 1.75 В, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендSEMIKRON НаименованиеSKM150GB12V Цена заШтука Страна производстваSlovak Republic СкладFarnell

БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 231 А, 1.75 В, 1.2 кВ, Module

The SKM150GB12V is a SEMITRANS® 2 IGBT Module for use with AC inverter drives and electronic welders. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Copper Bonding) and increased power cycling capability.
  • Half-bridge switch
  • V-IGBT = 6th generation Trench V-IGBT (Fuji)
  • CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
  • Integrated gate resistor
  • Lowest switching losses at high di/dt
  • UL recognized, file number E63532

Области применения

Управление Питанием, Техническое Обслуживание и Ремонт

DC Ток Коллектора:
231А
Количество Выводов:
7вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
175°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):
1.75В
Полярность Транзистора:
Двойной N Канал
Рассеиваемая Мощность:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
Module
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (15-Jun-2015)
RoHS статус:
Да
Популярные товары