FP30R06W1E3 (INFINEON)

F1833545
нет данных
 
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 30 А, 1.55 В, 115 Вт, 600 В, Module

Документация
Technical Data Sheet EN
  Simulation Model EN
Application Note EN
Product Change Notice EN

БрендINFINEON НаименованиеFP30R06W1E3 Цена заШтука Страна производстваGermany СкладFarnell

БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 30 А, 1.55 В, 115 Вт, 600 В, Module

The FP30R06W1E3 is an EasyPIM™ 1B PIM IGBT Module with Trench/field-stop IGBT3, emitter controlled 3 diode and NTC. It is suitable for auxiliary inverters and air conditioning.
  • Low switching losses
  • V(CEsat) with positive temperature coefficient
  • Al2O? substrate with low thermal resistance
  • Compact design
  • Solder contact technology
  • Rugged mounting due to integrated mounting clamps
  • Compact module concept
  • Configuration flexibility

Области применения

Управление Питанием, ОВКВ, Привод Двигателя и Управление

DC Ток Коллектора:
30А
Количество Выводов:
23вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):
1.55В
Полярность Транзистора:
N Канал
Рассеиваемая Мощность:
115Вт
Стиль Корпуса Транзистора:
Module
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Популярные товары