FP25R12W2T4 (INFINEON)

F1833566
нет данных
 
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 25 А, 1.85 В, 175 Вт, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендINFINEON НаименованиеFP25R12W2T4 Цена заШтука Страна производстваGermany СкладFarnell

БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 25 А, 1.85 В, 175 Вт, 1.2 кВ, Module

The FP25R12W2T4 is an EasyPIM™ 2B PIM IGBT Module with fast Trench/field-stop IGBT4, emitter controlled 4 diode and NTC.
  • High power density
  • Established easy module concept
  • Integrated temperature sensor available
  • Low stray inductance module design
  • Compact module concept
  • Configuration flexibility

Области применения

Привод Двигателя и Управление, Управление Питанием, Медицинское, Альтернативаня Энергия

DC Ток Коллектора:
25А
Количество Выводов:
23вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):
1.85В
Полярность Транзистора:
N Канал
Рассеиваемая Мощность:
175Вт
Стиль Корпуса Транзистора:
Module
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да