2MBI200U2A-060-50 (FUJI ELECTRIC)
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 200 А, 2.45 В, 660 Вт, 600 В, Module
The 2MBI200U2A-060-50 is a NPT half-bridge IGBT Module for use with inverters, welding and lasers.
- Industry standard package with screw-thread power terminals
Области применения
Управление Питанием, Привод Двигателя и Управление
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
200А
Количество Выводов:
7вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):
2.45В
Полярность Транзистора:
N Канал
Рассеиваемая Мощность:
660Вт
Стиль Корпуса Транзистора:
Module
SVHC (Особо Опасные Вещества):
To Be Advised
RoHS статус:
Да
