2MBI100TA-060-50 (FUJI ELECTRIC)

F1689571
нет данных
 
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 2.4 В, 310 Вт, 600 В, Module

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендFUJI ELECTRIC Наименование2MBI100TA-060-50 Цена заШтука Страна производстваJapan СкладFarnell

БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 2.4 В, 310 Вт, 600 В, Module

The 2MBI100TA-060-50 is a 600V IGBT Module with NPT half-bridge designed for uninterruptible power supply, AC and DC servo drive amplifier. Dual IGBT module is suitable for use in half-bridge and H-bridge configurations.
  • High speed switching
  • Voltage drive
  • Low inductance module structure
  • Screw-thread power terminals

Области применения

Привод Двигателя и Управление, Управление Питанием, Промышленное

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
100А
Количество Выводов:
7вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):
2.4В
Полярность Транзистора:
N Канал
Рассеиваемая Мощность:
310Вт
Стиль Корпуса Транзистора:
Module
SVHC (Особо Опасные Вещества):
To Be Advised
RoHS статус:
Да