1MBI1600U4C-170 (FUJI ELECTRIC)

F2254763
нет данных
 
БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 2.4 кА, 2.47 В, 9.76 кВт, 1.7 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендFUJI ELECTRIC Наименование1MBI1600U4C-170 Цена заШтука Страна производстваJapan СкладFarnell

БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 2.4 кА, 2.47 В, 9.76 кВт, 1.7 кВ, Module

The 1MBI1600U4C-170 is an IGBT Module for use with AC and DC servo drive amplifier and industrial machines, such as welding machines.
  • High speed switching
  • Voltage drive
  • Low inductance module structure

Области применения

Привод Двигателя и Управление, Управление Питанием, Промышленное

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
2.4кА
Количество Выводов:
7вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
1.7кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):
2.47В
Полярность Транзистора:
Двойной N Канал
Рассеиваемая Мощность:
9.76кВт
Стиль Корпуса Транзистора:
Module
SVHC (Особо Опасные Вещества):
To Be Advised
RoHS статус:
Нет