PBSS9110Z,135 (NEXPERIA)

F8736707
нет данных
 
Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 650 мВт, 1 А, 150 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Packaging / Drawing / Footprint EN
Product Change Notice EN

БрендNEXPERIA НаименованиеPBSS9110Z,135 Цена заШтука (Поставляется на разрезной ленте) Страна производстваHong Kong СкладFarnell

Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 650 мВт, 1 А, 150 hFE

The PBSS9110Z is a 1A PNP breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a surface-mount plastic package with increased heat-sink.
  • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
  • High collector current capability IC and ICM
  • High collector current gain (hFE) at high IC
  • High efficiency due to less heat generation
  • Smaller required printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors
  • NPN complement is PBSS8110Z
  • PB9110 Marking code

Области применения

Промышленное, Обработка Сигнала, Привод Двигателя и Управление, Авто, Управление Питанием

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
DC Усиление Тока hFE:
150hFE
Количество Выводов:
4вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
100В
Полярность Транзистора:
PNP
Рассеиваемая Мощность:
650мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-223
Тип упаковки:
Разрезная лента
Частота Перехода ft:
-
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (15-Jan-2018)
RoHS статус:
Да
Популярные товары