PBSS4120T,215 (NEXPERIA)
Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 300 мВт, 1 А, 470 hFE
The PBSS4120T is a 1A NPN breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a plastic package provides ultra-low VCEsat and RCEsat parameters. It is suitable for use with the peripheral driver in low supply voltage applications and inductive load drivers.
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capability IC and ICM
- High efficiency leading to less heat generation
- Reduced printed-circuit board requirements
- PNP complement is PBSS5120T
- 3B Marking code
Области применения
Промышленное, Потребительская Электроника, Освещение, Обработка Сигнала, Привод Двигателя и Управление, Управление Питанием
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
1А
DC Усиление Тока hFE:
470hFE
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
20В
Полярность Транзистора:
NPN
Рассеиваемая Мощность:
300мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-23
Тип упаковки:
Разрезная лента
Частота Перехода ft:
-
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (15-Jan-2018)
RoHS статус:
Да
