NSS60201LT1G (ON SEMICONDUCTOR)
Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 100 МГц, 540 мВт, 2 А, 100 hFE
The NSS60201LT1G is a 4A NPN Bipolar Transistor designed for use in low voltage and high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. It is a miniature surface-mount device featuring ultra-low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability.
- ESD robust
- High current gain
- High cut-off frequency
- Low profile package
- Linear gain (Beta)
- Improved circuit efficiency
- Decreased battery charge time
- Reduce component count
- High frequency switching
- Smaller portable product
- No distortion
- AECQ101 qualified and PPAP capable
Области применения
Промышленное, Управление Питанием, Авто, Обработка Сигнала, Переносные Устройства, Освещение, Привод Двигателя и Управление, Потребительская Электроника, Компьютеры и Периферия
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
2А
DC Усиление Тока hFE:
100hFE
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
60В
Полярность Транзистора:
NPN
Рассеиваемая Мощность:
540мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-23
Частота Перехода ft:
100МГц
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
