NSS12100XV6T1G (ON SEMICONDUCTOR)

F2317587
30,85 Р
(включая НДС 20%)
Оптовые цены:
Кол-во
25+
100+
250+
500+
1000+
Цена
29,52 Р
16,52 Р
14,62 Р
12,81 Р
10,92 Р
нет данных
 

Минимальное количество для товара "NSS12100XV6T1G (ON SEMICONDUCTOR)" 5.

Биполярный транзистор, PNP, -12 В, 100 МГц, 650 мВт, -1 А, 90 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

По запросу
БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеNSS12100XV6T1G Цена заШтука (Поставляется на разрезной ленте) Страна производстваMalaysia СкладFarnell

Биполярный транзистор, PNP, -12 В, 100 МГц, 650 мВт, -1 А, 90 hFE

The NSS12100XV6T1G is a 1A PNP bipolar Transistor designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. It is miniature surface-mount device featuring ultra-low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability.

Области применения

Промышленное, Управление Питанием

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
-1А
DC Усиление Тока hFE:
90hFE
Количество Выводов:
6вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
-12В
Полярность Транзистора:
PNP
Рассеиваемая Мощность:
650мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-563
Тип упаковки:
Разрезная лента
Частота Перехода ft:
100МГц
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Возможно, вас это заинтересует
  • Новинки
  • Недавно просмотренные