NJVMJD31CT4G-VF01 (ON SEMICONDUCTOR)

F2317567
нет данных
 
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 МГц, 15 Вт, 3 А, 10 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеNJVMJD31CT4G-VF01 Цена заШтука Страна производстваVietnam СкладFarnell

Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 МГц, 15 Вт, 3 А, 10 hFE

The NJVMJD31CT4G is a 3A NPN bipolar Power Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.
  • Complementary device
  • Electrically similar to popular TIP31 and TIP32 series
  • AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Области применения

Промышленное, Управление Питанием, Авто

DC Ток Коллектора:
DC Усиление Тока hFE:
10hFE
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
100В
Полярность Транзистора:
NPN
Рассеиваемая Мощность:
15Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-252
Частота Перехода ft:
3МГц
SVHC (Особо Опасные Вещества):
Lead (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Популярные товары